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DMP6180SK3Q-13  与  AUIRFR5505TRL  区别

型号 DMP6180SK3Q-13 AUIRFR5505TRL
唯样编号 A-DMP6180SK3Q-13 A-AUIRFR5505TRL
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 110mΩ@12A,10V 110mΩ
上升时间 - 28ns
产品特性 车规 车规
Qg-栅极电荷 - 32nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 4.2S
封装/外壳 TO-252-3,Dpak,SC-63 -
连续漏极电流Id 14A(Tc) 18A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
配置 - Single
长度 - 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V
下降时间 - 16ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 650pF @ 25V
高度 - 2.3mm
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 2.7W(Ta) 57W
典型关闭延迟时间 - 20ns
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 汽车级,AEC-Q101 -
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.7V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 984.7pF @ 30V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 17.1nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 12ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 32nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP6180SK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 60V 14A(Tc) ±20V 2.7W(Ta) 110mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 车规

暂无价格 0 当前型号
DMP6180SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.7W(Ta) 110mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 14A

¥1.606 

阶梯数 价格
40: ¥1.606
100: ¥1.232
1,250: ¥1.0725
2,500: ¥1.012
12,122 对比
DMP6180SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.7W(Ta) 110mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 14A

暂无价格 0 对比
AUIRFR5505TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

55V -55°C~150°C(TJ) 18A 110mΩ 20V 57W P-Channel 车规

暂无价格 0 对比
AUIRFR5505 Infineon  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 55V 18A(Tc) ±20V 57W(Tc) 110mΩ@9.6A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK 车规

暂无价格 0 对比
IRLR9343 Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55V DPAK (TO-252) 170mΩ P-Channel 20V -20A

暂无价格 0 对比

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