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DMP3160L-7  与  IRLML5203TRPBF  区别

型号 DMP3160L-7 IRLML5203TRPBF
唯样编号 A-DMP3160L-7 A33-IRLML5203TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 P Channel 30 V 190 mO 1.08 W 8.2 nC Surface Mount Power MosFet - SOT-23 Single P-Channel 30 V 1.25 W 9.5 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.3mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 122mΩ 98mΩ@3A,10V
上升时间 7.3ns -
Qg-栅极电荷 8.2nC -
栅极电压Vgs 1.3V ±20V
正向跨导 - 最小值 5.9S -
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.7A 3A
配置 Single -
长度 2.9mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
下降时间 13.4ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 510pF @ 25V
高度 1mm -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.08W 1.25W(Ta)
典型关闭延迟时间 22.5ns -
FET类型 - P-Channel
系列 DMP31 HEXFET®
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 227pF @ 10V 510pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 10V
典型接通延迟时间 4.8ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 10V
库存与单价
库存 0 17,870
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
120+ :  ¥1.2937
500+ :  ¥1.1691
1,000+ :  ¥1.1691
2,000+ :  ¥1.1595
4,000+ :  ¥1.1595
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP3160L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23 2.9mm

暂无价格 0 当前型号
IRLML5203TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.7326 

阶梯数 价格
70: ¥0.7326
200: ¥0.5967
1,500: ¥0.5421
3,000: ¥0.507
31,555 对比
NTR4502PT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

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IRLML5203TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥1.2937 

阶梯数 价格
120: ¥1.2937
500: ¥1.1691
1,000: ¥1.1691
2,000: ¥1.1595
4,000: ¥1.1595
17,870 对比
AO3409 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.6149 

阶梯数 价格
90: ¥0.6149
200: ¥0.3965
1,500: ¥0.3458
3,000: ¥0.3055
7,778 对比
FDN358P ON Semiconductor 通用MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT

¥1.584 

阶梯数 价格
40: ¥1.584
100: ¥1.254
750: ¥1.122
1,500: ¥1.0626
3,000: ¥1.012
4,700 对比

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