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DMP3098LSS-13  与  IRF7204TRPBF  区别

型号 DMP3098LSS-13 IRF7204TRPBF
唯样编号 A-DMP3098LSS-13 A36-IRF7204TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET Single P-Channel 20 V 2.5 W 25 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 3.9 mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 65mΩ@5.3A,10V 60mΩ@5.3A,10V
上升时间 5 ns -
栅极电压Vgs ±20V ±12V
封装/外壳 SOP 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.3A 5.3A
配置 Single Quad Drain Triple Source -
长度 4.95 mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
下降时间 9.5 ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 860pF @ 10V
高度 1.5 mm -
漏源极电压Vds 30V 20V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Tc)
典型关闭延迟时间 17.6 ns -
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 DMP HEXFET®
通道数量 1 Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 336pF @ 25V 860pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.8nC @ 10V 25nC @ 10V
典型接通延迟时间 6 ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP3098LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

4.95mm SOP

暂无价格 0 当前型号
IRF7205TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥2.046 

阶梯数 价格
30: ¥2.046
100: ¥1.639
1,000: ¥1.463
2,000: ¥1.397
2,371 对比
AO3401 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3

暂无价格 0 对比
AO3401AL AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 对比
IRF7204TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
AO3401 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3

暂无价格 0 对比

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