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DMP3050LVT-7  与  IRFTS9342TRPBF  区别

型号 DMP3050LVT-7 IRFTS9342TRPBF
唯样编号 A-DMP3050LVT-7 A3-IRFTS9342TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 DMP3050LVT: 30 V 50 mOhm P-Channel Enhancement Mode Mosfet - TSOT-26
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 50mΩ@4.5A,10V 40mΩ@5.8A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.8W(Ta) 2W(Ta)
栅极电压Vgs ±25V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 TSOT-26 6-TSOP
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.5A 5.8A
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA 2.4V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 15V 595pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V 12nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 595pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 12nC
库存与单价
库存 0 9,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP3050LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

TSOT-26

暂无价格 0 当前型号
IRFTS9342TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

6-TSOP

暂无价格 9,000 对比
NTGS4111PT1 ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-6

¥0.2148 

阶梯数 价格
1: ¥0.2148
2: ¥0.1974
4: ¥0.1815
20 对比
IRFTS9342TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

6-TSOP

暂无价格 5 对比
AO6401A AOS  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 4 对比
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SOT-23-6,TSOT-23-6 SuperSOT SOT-23-6细型,TSOT-23-6

暂无价格 0 对比

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