尊敬的客户:清明节4月4日-6日我司放假,放假期间网站可自助下单,节后将按订单先后顺序安排,给您带来的不便,敬请谅解!
首页 > 商品目录 > > > > DMP26M7UFG-7代替型号比较

DMP26M7UFG-7  与  RQ3C150BCTB  区别

型号 DMP26M7UFG-7 RQ3C150BCTB
唯样编号 A-DMP26M7UFG-7 A-RQ3C150BCTB
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8 MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.7mΩ@15A,4.5V 6.7mΩ@15A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 2.3W(Ta) 20W(Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds - 4800pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - 60nC @ 4.5V
栅极电压Vgs ±10V ±8V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 PowerDI 8-PowerVDFN
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃
连续漏极电流Id 18A 30A(Tc)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5940pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 156nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.2V @ 1mA
库存与单价
库存 0 91
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥7.3616
100+ :  ¥3.9311
3,000+ :  ¥2.8422
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP26M7UFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±10V 2.3W(Ta) 6.7mΩ@15A,4.5V -55°C~150°C(TJ) PowerDI P-Channel 20V 18A

暂无价格 0 当前型号
RQ3C150BCTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 20V 30A(Tc) ±8V 20W(Tc) 6.7mΩ@15A,4.5V -55℃~150℃ 8-PowerVDFN

¥6.037 

阶梯数 价格
30: ¥6.037
50: ¥4.3409
100: ¥3.7755
500: ¥3.3922
1,000: ¥3.3156
2,000: ¥3.2581
3,000 对比
RQ3C150BCTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 20V 30A(Tc) ±8V 20W(Tc) 6.7mΩ@15A,4.5V -55℃~150℃ 8-PowerVDFN

暂无价格 190 对比
RQ3C150BCTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 20V 30A(Tc) ±8V 20W(Tc) 6.7mΩ@15A,4.5V -55℃~150℃ 8-PowerVDFN

¥7.3616 

阶梯数 价格
1: ¥7.3616
100: ¥3.9311
3,000: ¥2.8422
91 对比
DMP26M7UFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 2.3W(Ta) ±10V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 20V 18A(Ta),40A(Tc)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售