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DMP2066LSS-13  与  BSO201SPHXUMA1  区别

型号 DMP2066LSS-13 BSO201SPHXUMA1
唯样编号 A-DMP2066LSS-13 A-BSO201SPHXUMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 20V 12A 8DSO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 1.6W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 40mΩ@5.8A,4.5V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 20V -
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 9600pF @ 15V
栅极电压Vgs ±12V -
FET类型 P-Channel P 通道
封装/外壳 SOP 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6.5A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 88nC @ 4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 820pF @ 15V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 8 毫欧 @ 14.9A,4.5V
Vgs(最大值) - ±12V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 12A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 2.5V,4.5V
漏源电压(Vdss) - 20V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP2066LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±12V 2.5W(Ta) 40mΩ@5.8A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOP P-Channel 20V 6.5A

暂无价格 0 当前型号
BSO201SPHXUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSO201SP H_P 通道 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSO201SP H Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSO201SPHXUMA1_-55°C~150°C(TJ) 20V 14.9A 6.7mΩ 12V 2.5W P-Channel

暂无价格 0 对比
IRF7404PBF-1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

-20V SO-8 P-Channel 12V -5.4A 60mΩ

暂无价格 0 对比

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