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DMP2045UFY4-7  与  DMG3415UFY4-7  区别

型号 DMP2045UFY4-7 DMG3415UFY4-7
唯样编号 A-DMP2045UFY4-7 A-DMG3415UFY4-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET P-CH 20V 4.7A X2-DFN2015 Single P-Channel 16 V 1.35 W 10 nC Silicon Surface Mount Mosfet - XFDFN-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd - 650mW
上升时间 - 175ns
漏源极电压Vds - 16V
Qg-栅极电荷 - 10nC
栅极电压Vgs - 8V
典型关闭延迟时间 - 885ns
FET类型 - P-Channel
封装/外壳 X2-DFN2015-3 DFN
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 2.5A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - DMG3415
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 281.9pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 1.8V,4.5V
下降时间 - 568ns
典型接通延迟时间 - 79ns
导通电阻Rds(On) - 31mΩ
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP2045UFY4-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

X2-DFN2015-3

暂无价格 0 当前型号
DMG3415UFY4-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) DFN 16V 2.5A 31mΩ 8V 650mW P-Channel

暂无价格 0 对比
DMG3415UFY4-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) DFN 16V 2.5A 31mΩ 8V 650mW P-Channel

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