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DMP10H4D2S-13  与  DMP10H4D2S-7  区别

型号 DMP10H4D2S-13 DMP10H4D2S-7
唯样编号 A-DMP10H4D2S-13 A36-DMP10H4D2S-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23-3 100V, 0.27A, 4.2OHM, SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.2Ω@500mA,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 380mW(Ta) 380mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 4.2Ω@500mA,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 87 pF @ 25 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 1.8 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT-23-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 270mA(Ta) 0.27A
驱动电压 4V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 87pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 1.8nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
库存与单价
库存 0 2,588
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
90+ :  ¥0.6123
200+ :  ¥0.3952
1,500+ :  ¥0.3432
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP10H4D2S-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

P-Channel 380mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 100V 270mA(Ta)

暂无价格 0 当前型号
DMP10H4D2S-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 380mW(Ta) 4.2Ω@500mA,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 N-Channel 100V 0.27A

¥0.6123 

阶梯数 价格
90: ¥0.6123
200: ¥0.3952
1,500: ¥0.3432
2,588 对比
DMP10H4D2S-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 380mW(Ta) 4.2Ω@500mA,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 N-Channel 100V 0.27A

暂无价格 0 对比
DMP10H4D2S-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 380mW(Ta) 4.2Ω@500mA,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 N-Channel 100V 0.27A

暂无价格 0 对比

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