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DMNH6021SK3Q-13  与  DMNH6021SK3-13  区别

型号 DMNH6021SK3Q-13 DMNH6021SK3-13
唯样编号 A-DMNH6021SK3Q-13 A-DMNH6021SK3-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 50A TO252-2 MOSFET N-CH 60V 50A TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
漏源极电压Vds 60V 60V
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 2.1W(Ta) 2.1W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 23mΩ@12A,10V 23mΩ@12A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1143 pF @ 25 V 1143 pF @ 25 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 20.1 nC @ 10 V 20.1 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55℃~175℃(TJ)
连续漏极电流Id 50A(Tc) 50A(Tc)
驱动电压 4.5V,10V 4.5V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMNH6021SK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.1W(Ta) ±20V TO-252-3 -55℃~175℃(TJ) 60V 50A(Tc) 车规

暂无价格 0 当前型号
DMNH6021SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.1W(Ta) ±20V TO-252-3 -55℃~175℃(TJ) 60V 50A(Tc)

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