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DMNH6021SK3-13  与  IRFR2607Z  区别

型号 DMNH6021SK3-13 IRFR2607Z
唯样编号 A-DMNH6021SK3-13 A-IRFR2607Z
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 50A TO252
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 22mΩ@30A,10V
漏源极电压Vds 60V 75V
Pd-功率耗散(Max) 2.1W(Ta) 110W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 23mΩ@12A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1143 pF @ 25 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 20.1 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 DPAK
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 50A(Tc) 42A(Tc)
驱动电压 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1440pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 51nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMNH6021SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.1W(Ta) ±20V TO-252-3 -55℃~175℃(TJ) 60V 50A(Tc)

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