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DMNH6021SK3-13  与  IPD30N06S4L23ATMA2  区别

型号 DMNH6021SK3-13 IPD30N06S4L23ATMA2
唯样编号 A-DMNH6021SK3-13 A-IPD30N06S4L23ATMA2
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 50A TO252 MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 36W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 2.1W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 23mΩ@12A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1143 pF @ 25 V 1560pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 20.1 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 50A(Tc) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 10uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 21nC @ 10V
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 23 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) - ±16V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 30A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMNH6021SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.1W(Ta) ±20V TO-252-3 -55℃~175℃(TJ) 60V 50A(Tc)

暂无价格 0 当前型号
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