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DMNH6012SPSQ-13  与  DMNH6012SPS-13  区别

型号 DMNH6012SPSQ-13 DMNH6012SPS-13
唯样编号 A-DMNH6012SPSQ-13 A-DMNH6012SPS-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 50A PWRDI5060-8 MOSFET N-CH 60V 50A PWRDI5060-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
产品特性 车规 -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 1.6W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 11mΩ@50A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1926 pF @ 30 V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 35.2 nC @ 10 V
封装/外壳 PowerDI5060-8 PowerDI5060-8
工作温度 - -55℃~175℃(TJ)
连续漏极电流Id - 50A(Tc)
驱动电压 - 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMNH6012SPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

PowerDI5060-8 车规

暂无价格 0 当前型号
BSZ099N06LS5ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ099N06LS5_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
DMNH6012SPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.6W(Ta) ±20V PowerDI5060-8 -55℃~175℃(TJ) 60V 50A(Tc)

暂无价格 0 对比
BSC094N06LS5ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC094N06LS5_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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