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DMNH6012SPS-13  与  RS1L145GNTB  区别

型号 DMNH6012SPS-13 RS1L145GNTB
唯样编号 A-DMNH6012SPS-13 A33-RS1L145GNTB
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 50A PWRDI5060-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 1.6W(Ta) 3W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 11mΩ@50A,10V 9.7mOhm@14.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1926 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±20V 2.7V@200uA
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 35.2 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI5060-8 8-HSOP
工作温度 -55℃~175℃(TJ) 150℃(TJ)
连续漏极电流Id 50A(Tc) 14.5A(Ta),47A(Tc)
驱动电压 10V -
Vgs(最大值) - ±20V
栅极电荷Qg - 37nC@10V
库存与单价
库存 0 1,198
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥11.6427
50+ :  ¥7.1102
100+ :  ¥6.5448
500+ :  ¥6.1615
1,000+ :  ¥6.0849
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMNH6012SPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.6W(Ta) ±20V PowerDI5060-8 -55℃~175℃(TJ) 60V 50A(Tc)

暂无价格 0 当前型号
RS1L145GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

14.5A(Ta),47A(Tc) N-Channel 2.7V@200uA 3W(Ta) 8-HSOP 150℃(TJ) 60V

¥11.6427 

阶梯数 价格
20: ¥11.6427
50: ¥7.1102
100: ¥6.5448
500: ¥6.1615
1,000: ¥6.0849
1,198 对比
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