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DMNH6012LK3-13  与  IRLR3915TRPBF  区别

型号 DMNH6012LK3-13 IRLR3915TRPBF
唯样编号 A-DMNH6012LK3-13 A-IRLR3915TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 17 mOhm 92 nC 120 W Surface Mount Mosfet - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 12mΩ@25A,10V 14mΩ@30A,10V
漏源极电压Vds 60V 55V
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 120W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±16V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-252-5,Dpak,TO-252AD D-Pak
连续漏极电流Id 60A(Tc) 61A
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
系列 汽车级,AEC-Q101 HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1926pF @ 30V 1870pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35.2nC @ 10V 92nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1870pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 92nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMNH6012LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 60V 60A(Tc) ±20V 2W(Ta) 12mΩ@25A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-252-5,Dpak,TO-252AD 车规

暂无价格 0 当前型号
AUIRFR2905ZTRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 14.5mΩ@36A,10V N-Channel 55V 59A D-Pak 车规

暂无价格 0 对比
IPD50N06S2L-13 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N06S2L13ATMA2_55V 50A DPAK (TO-252) 16.7mΩ N-Channel 1.2V,2V

暂无价格 0 对比
IRLR3915TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 120W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 14mΩ@30A,10V N-Channel 55V 61A D-Pak

暂无价格 0 对比
IRFR3806 Infineon  数据手册 功率MOSFET

15.8mΩ 60V DPAK (TO-252) N-Channel 20V 43A

暂无价格 0 对比
IRFR2905ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 14.5mΩ@36A,10V N-Channel 55V 59A D-Pak

暂无价格 0 对比

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