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DMNH6008SPS-13  与  BSC097N06NSTATMA1  区别

型号 DMNH6008SPS-13 BSC097N06NSTATMA1
唯样编号 A-DMNH6008SPS-13 A-BSC097N06NSTATMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 16.5A PWRDI5060 MOSFET N-CH 60V 13A/48A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 3W(Ta),43W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 3.3W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 8mΩ@20A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2597 pF @ 30 V 1075pF @ 30V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 40.1 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI5060-8 8-PowerTDFN
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 16.5A(Ta),88A(Tc) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.3V @ 14uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 10V
驱动电压 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 9.7 毫欧 @ 40A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 13A(Ta),48A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMNH6008SPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 3.3W(Ta) ±20V PowerDI5060-8 -55℃~175℃(TJ) 60V 16.5A(Ta),88A(Tc)

暂无价格 0 当前型号
BSC094N06LS5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC094N06LS5ATMA1_60V 47A SuperSO8 -55°C~150°C 13.4mΩ N-Channel 1.7V,1.1V,2.3V

暂无价格 0 对比
BSC097N06NST Infineon 功率MOSFET

BSC097N06NSTATMA1_PG-TDSON-8

暂无价格 0 对比
BSC097N06NSTATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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