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DMNH6008SPS-13  与  BSC097N06NST  区别

型号 DMNH6008SPS-13 BSC097N06NST
唯样编号 A-DMNH6008SPS-13 A-BSC097N06NST
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 16.5A PWRDI5060
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerDI5060-8 PG-TDSON-8
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -
连续漏极电流Id 16.5A(Ta),88A(Tc) -
驱动电压 10V -
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 3.3W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 8mΩ@20A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2597 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 40.1 nC @ 10 V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMNH6008SPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 3.3W(Ta) ±20V PowerDI5060-8 -55℃~175℃(TJ) 60V 16.5A(Ta),88A(Tc)

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BSC094N06LS5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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BSC097N06NSTATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 175°C(TJ)

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