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DMNH6008SPS-13  与  BSC094N06LS5  区别

型号 DMNH6008SPS-13 BSC094N06LS5
唯样编号 A-DMNH6008SPS-13 A-BSC094N06LS5
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 16.5A PWRDI5060
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 13.4mΩ
漏源极电压Vds 60V 60V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 3.3W(Ta) -
Rth - 2.1 K/W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 8mΩ@20A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2597 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±20V 1.7V,1.1V,2.3V
RthJA max - 50.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 40.1 nC @ 10 V -
Qgd - 2.0nC
Pin Count - 8.0Pins
封装/外壳 PowerDI5060-8 SuperSO8
Mounting - SMD
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 16.5A(Ta),88A(Tc) 47A
RthJC max - 3.5 K/W
驱动电压 10V -
Ptot max - 36.0W
QG - 7.0nC
Budgetary Price €€/1k - 0.31
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMNH6008SPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 3.3W(Ta) ±20V PowerDI5060-8 -55℃~175℃(TJ) 60V 16.5A(Ta),88A(Tc)

暂无价格 0 当前型号
BSC094N06LS5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC094N06LS5ATMA1_60V 47A SuperSO8 -55°C~150°C 13.4mΩ N-Channel 1.7V,1.1V,2.3V

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