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DMNH4005SPSQ-13  与  BSZ040N04LSGATMA1  区别

型号 DMNH4005SPSQ-13 BSZ040N04LSGATMA1
唯样编号 A-DMNH4005SPSQ-13 A-BSZ040N04LSGATMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 80A PWRDI5060-8 MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.1W(Ta),69W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 2.8W -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 4mΩ@20A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2847 pF @ 20 V 5100pF @ 20V
栅极电压Vgs 20V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 48 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI5060-8 8-PowerTDFN
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 80A(Tc) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 36uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 64nC @ 10V
驱动电压 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 4 毫欧 @ 20A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 18A(Ta),40A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 40V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMNH4005SPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.8W 20V PowerDI5060-8 -55℃~175℃(TJ) 40V 80A(Tc) 车规

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