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DMNH10H028SPS-13  与  DMNH10H028SPSQ-13  区别

型号 DMNH10H028SPS-13 DMNH10H028SPSQ-13
唯样编号 A-DMNH10H028SPS-13 A-DMNH10H028SPSQ-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 28mΩ@20A,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 1.6W(Ta) 1.6W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 28mΩ@20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2245 pF @ 50 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 36 nC @ 10 V
封装/外壳 8-PowerTDFN PowerDI5060-8
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55℃~175℃(TJ)
连续漏极电流Id 40A 40A(Tc)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
驱动电压 - 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2245pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMNH10H028SPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.6W(Ta) 28mΩ@20A,10V -55°C~175°C(TJ) 8-PowerTDFN N-Channel 100V 40A

暂无价格 0 当前型号
DMNH10H028SPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.6W(Ta) ±20V PowerDI5060-8 -55℃~175℃(TJ) 100V 40A(Tc) 车规

暂无价格 0 对比
DMNH10H028SPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.6W(Ta) ±20V PowerDI5060-8 -55℃~175℃(TJ) 100V 40A(Tc) 车规

暂无价格 0 对比

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