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DMNH10H028SK3-13  与  IRLR2908PBF  区别

型号 DMNH10H028SK3-13 IRLR2908PBF
唯样编号 A-DMNH10H028SK3-13 A-IRLR2908PBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 55A TO252 N-Channel 80 V 110 W 22 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 28mΩ@23A,10V
漏源极电压Vds 100V 80V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 120W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 28mΩ@20A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2245 pF @ 50 V -
栅极电压Vgs ±20V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 36 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 D-Pak
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 55A(Tc) 39A
系列 - HEXFET®
驱动电压 10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1890pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 33nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1890pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 33nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMNH10H028SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
IRFR3410TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥3.311 

阶梯数 价格
20: ¥3.311
100: ¥2.552
1,000: ¥2.211
2,000: ¥2.09
11,640 对比
IRFR540ZTRPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

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IRFR3410TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 2,000 对比
AOD2910 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

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阶梯数 价格
30: ¥2.321
100: ¥1.782
263 对比
IRLR2908PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比

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