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DMNH10H028SCT  与  IRF8010PBF  区别

型号 DMNH10H028SCT IRF8010PBF
唯样编号 A-DMNH10H028SCT A36-IRF8010PBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 260 W 81 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 28mΩ@20A,10V 15mΩ@45A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 2.8W(Ta) 260W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
连续漏极电流Id 60A(Tc) 80A
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
系列 汽车级,AEC-Q101 HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1942pF @ 50V 3830pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 31.9nC @ 10V 120nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3830pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
库存与单价
库存 0 2,860
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
7+ :  ¥7.557
100+ :  ¥6.039
1,000+ :  ¥5.599
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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20: ¥2.926
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30: ¥1.705
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¥7.557 

阶梯数 价格
7: ¥7.557
100: ¥6.039
1,000: ¥5.599
2,860 对比

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