首页 > 商品目录 > > > DMN65D8LQ-7代替型号比较

DMN65D8LQ-7  与  BSS138NH6327XTSA2  区别

型号 DMN65D8LQ-7 BSS138NH6327XTSA2
唯样编号 A-DMN65D8LQ-7 A36-BSS138NH6327XTSA2
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 360mW(Ta)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 370mW(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 3Ω@115mA,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 22 pF @ 25 V 41pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 0.87 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT-23-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 310mA(Ta) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.4V @ 26uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 1.4nC @ 10V
驱动电压 5V,10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.5 欧姆 @ 230mA,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 230mA(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 0 20,857
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
100+ :  ¥0.5544
200+ :  ¥0.4225
1,500+ :  ¥0.3679
3,000+ :  ¥0.325
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN65D8LQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 当前型号
DMN65D8L-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 129,000 对比
DMN65D8L-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.5874 

阶梯数 价格
90: ¥0.5874
200: ¥0.2685
1,500: ¥0.1665
3,000: ¥0.1152
33,990 对比
2N7002H6327XTSA2 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

2N7002 H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.4719 

阶梯数 价格
110: ¥0.4719
200: ¥0.3042
1,500: ¥0.2639
24,087 对比
BSS138NH6327XTSA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSS138N H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.5544 

阶梯数 价格
100: ¥0.5544
200: ¥0.4225
1,500: ¥0.3679
3,000: ¥0.325
20,857 对比
DMN65D8LV-13 Diodes Incorporated 通用MOSFET

¥0.5642 

阶梯数 价格
90: ¥0.5642
500: ¥0.3757
5,000: ¥0.3276
9,850 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售