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DMN65D8LDW-7  与  2N7002DWA-7  区别

型号 DMN65D8LDW-7 2N7002DWA-7
唯样编号 A-DMN65D8LDW-7 A-2N7002DWA-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
正向跨导-最小值 80 mS, 80 mS -
Rds On(Max)@Id,Vgs 6Ω@115mA,10V 6Ω@115mA,10V
上升时间 3.2 ns, 3.2 ns -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 300mW 300mW
Qg-栅极电荷 870 pC, 870 pC -
栅极电压Vgs 1V,1V -
典型关闭延迟时间 12 ns, 12 ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-363 SOT-363
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 0.2A 0.2A
系列 DMN -
通道数量 2 Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 22pF @ 25V 22pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.87nC @ 10V 0.87nC @ 10V
下降时间 6.3 ns, 6.3 ns -
典型接通延迟时间 3.3 ns, 3.3 ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN65D8LDW-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

1V,1V 6Ω@115mA,10V 300mW -55°C~150°C(TJ) SOT-363 N-Channel 60V 0.2A

暂无价格 0 当前型号
2N7002DWA-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

6Ω@115mA,10V 300mW -55°C~150°C(TJ) SOT-363 N-Channel 60V 0.2A

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