首页 > 商品目录 > > > > DMN65D8L-7代替型号比较

DMN65D8L-7  与  DMN65D8LV-13  区别

型号 DMN65D8L-7 DMN65D8LV-13
唯样编号 A-DMN65D8L-7 A36-DMN65D8LV-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET MOSFET
描述 DMN65D8L: 60 V 3 Ohm SMT N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3 MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3Ω@115mA,10V -
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 370mW(Ta) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 SOT-23 -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 0.31A -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 22pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.87nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V,10V -
库存与单价
库存 0 9,850
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
90+ :  ¥0.5642
500+ :  ¥0.3757
5,000+ :  ¥0.3276
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN65D8L-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 当前型号
BSS138NH6327XTSA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSS138N H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.5544 

阶梯数 价格
100: ¥0.5544
200: ¥0.4225
1,500: ¥0.3679
3,000: ¥0.325
24,730 对比
DMN65D8LV-13 Diodes Incorporated MOSFET

¥0.5642 

阶梯数 价格
90: ¥0.5642
500: ¥0.3757
5,000: ¥0.3276
9,850 对比
DMN65D8LQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.3263 

阶梯数 价格
160: ¥0.3263
500: ¥0.2505
5,000: ¥0.219
7,154 对比
BSS138N H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS138NH6327XTSA2_2.9mm SOT-23

¥0.5499 

阶梯数 价格
100: ¥0.5499
200: ¥0.2925
1,500: ¥0.286
2,212 对比
DMN65D8LQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.3705 

阶梯数 价格
140: ¥0.3705
200: ¥0.2745
839 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售