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DMN6069SFG-13  与  RQ3L050GNTB  区别

型号 DMN6069SFG-13 RQ3L050GNTB
唯样编号 A-DMN6069SFG-13 A36-RQ3L050GNTB
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 61mΩ@5A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 930mW(Ta) 14.8W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 50mΩ@4.5A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1480 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 25 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8 8-PowerVDFN
工作温度 -55℃~150℃(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.6A(Ta),18A(Tc) 12A(Tc)
驱动电压 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 300pF @ 30V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.8nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN6069SFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 930mW(Ta) ±20V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 60V 5.6A(Ta),18A(Tc)

暂无价格 0 当前型号
DMN6069SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN 18A 930mW 63mΩ 60V 1V

¥1.826 

阶梯数 价格
30: ¥1.826
100: ¥1.408
1,000: ¥1.221
1,466 对比
RQ3L050GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 60V 12A(Tc) ±20V 14.8W(Tc) 61mΩ@5A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN

暂无价格 177 对比
RQ3L050GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 60V 12A(Tc) ±20V 14.8W(Tc) 61mΩ@5A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN

¥4.7912 

阶梯数 价格
40: ¥4.7912
50: ¥3.0856
94 对比
DMN6069SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN 18A 930mW 63mΩ 60V 1V

暂无价格 0 对比
RQ3L050GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 60V 12A(Tc) ±20V 14.8W(Tc) 61mΩ@5A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN

暂无价格 0 对比

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