DMN6068SE-13 与 IRLL2705TRPBF 区别
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规格信息
型号	DMN6068SE-13	IRLL2705TRPBF
唯样编号	A-DMN6068SE-13	A-IRLL2705TRPBF
制造商	Diodes Incorporated	Infineon Technologies
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	功率MOSFET
描述	N-Channel 60 V 68 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-223-3
数据表	DMN6068SE-13.pdf	IRLL2705TRPBF.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Rds On(Max)@Id,Vgs	68mΩ@12A,10V	40mΩ@3.8A,10V
漏源极电压Vds	60V	55V
Pd-功率耗散(Max)	2W(Ta)	1W(Ta)
栅极电压Vgs	±20V	±16V
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	SOT-223	SOT-223
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id	5.6A	5.2A
系列	-	HEXFET®
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA	2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	502pF @ 30V	870pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	10.3nC @ 10V	48nC @ 10V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V	4V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-	2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	870pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	48nC @ 10V
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
DMN6068SE-13	Diodes Incorporated	数据手册	功率MOSFET	±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A	暂无价格	0	当前型号
STN3NF06L	STMicro	数据手册	功率MOSFET	±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A	暂无价格	4,000	对比
STN3NF06L	STMicro	数据手册	功率MOSFET	±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A	暂无价格	0	对比
IRLL024NTRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	65mΩ@3.1A,10V ±16V SOT-223 -55°C~150°C 3.1A 55V 2.1W N-Channel	暂无价格	0	对比
IRLL2705TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±16V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 40mΩ@3.8A,10V N-Channel 55V 5.2A SOT-223	暂无价格	0	对比
IRFL014NPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	160mΩ@1.9A,10V ±20V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) N-Channel 55V 2.7A SOT-223	暂无价格	0	对比