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DMN6068LK3Q-13  与  IRLR024NTRPBF  区别

型号 DMN6068LK3Q-13 IRLR024NTRPBF
唯样编号 A-DMN6068LK3Q-13 A-IRLR024NTRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252 Single N-Channel 55 V 45 W 15 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 65mΩ@10A,10V
产品特性 车规 -
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 45W(Tc)
栅极电压Vgs - ±16V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 - D-Pak
连续漏极电流Id 8.5A(Ta) 17A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 480pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 480pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN6068LK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

8.5A(Ta) 车规

暂无价格 0 当前型号
TK8S06K3L(T6L1,NQ) Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 25W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 8A(Ta)

¥5.5483 

阶梯数 价格
30: ¥5.5483
50: ¥3.8426
51 对比
IRLR024NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 45W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 65mΩ@10A,10V N-Channel 55V 17A D-Pak

暂无价格 0 对比
AUIRLR024NTRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 55V 17A(Tc) ±16V 45W(Tc) 65mΩ@10A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK 车规

暂无价格 0 对比
TK8S06K3L(T6L1,NQ) Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 25W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 8A(Ta)

暂无价格 0 对比

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