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DMN6017SK3-13  与  IRFR2607Z  区别

型号 DMN6017SK3-13 IRFR2607Z
唯样编号 A-DMN6017SK3-13 A-IRFR2607Z
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 18mΩ 22mΩ@30A,10V
上升时间 5.4ns -
漏源极电压Vds 60V 75V
Pd-功率耗散(Max) 50W 110W(Tc)
Qg-栅极电荷 55nC -
栅极电压Vgs 1V ±20V
典型关闭延迟时间 38.2ns -
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 43A 42A(Tc)
通道数量 1Channel -
配置 Single -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V
下降时间 11ns -
典型接通延迟时间 4.9ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 4V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2711pF @ 15V 1440pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 55nC @ 10V 51nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN6017SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 43A 50W 18mΩ 60V 1V

暂无价格 0 当前型号
IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD30N08S2L-21_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPD30N08S2L-21 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD30N08S2L21ATMA1_±20V 136W(Tc) 20.5mΩ@25A,10V -55°C~175°C(TJ) PG-TO252-3-11 N-Channel 75V 30A(Tc)

暂无价格 0 对比
IPD30N08S2-22 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD30N08S222ATMA1_75V 30A 17.4mΩ 20V 136W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IPD30N08S222ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD30N08S2-22_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRFR2607Z Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 75V 42A(Tc) ±20V 110W(Tc) 22mΩ@30A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK

暂无价格 0 对比

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