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DMN6017SK3-13  与  IPD30N08S2L21ATMA1  区别

型号 DMN6017SK3-13 IPD30N08S2L21ATMA1
唯样编号 A-DMN6017SK3-13 A-IPD30N08S2L21ATMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 136W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 18mΩ -
上升时间 5.4ns -
Qg-栅极电荷 55nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1650pF @ 25V
栅极电压Vgs 1V -
封装/外壳 TO-252-3,Dpak,SC-63 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 43A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 72nC @ 10V
配置 Single -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 20.5 毫欧 @ 25A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
下降时间 11ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2711pF @ 15V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 50W -
典型关闭延迟时间 38.2ns -
FET类型 - N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 80uA
通道数量 1Channel -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 30A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 75V
典型接通延迟时间 4.9ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 55nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN6017SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 43A 50W 18mΩ 60V 1V

暂无价格 0 当前型号
IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD30N08S2L-21_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPD30N08S2L-21 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD30N08S2L21ATMA1_±20V 136W(Tc) 20.5mΩ@25A,10V -55°C~175°C(TJ) PG-TO252-3-11 N-Channel 75V 30A(Tc)

暂无价格 0 对比
IPD30N08S2-22 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD30N08S222ATMA1_75V 30A 17.4mΩ 20V 136W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IPD30N08S222ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD30N08S2-22_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRFR2607Z Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 75V 42A(Tc) ±20V 110W(Tc) 22mΩ@30A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK

暂无价格 0 对比

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