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DMN3730UFB4-7B  与  DMN3730UFB4-7  区别

型号 DMN3730UFB4-7B DMN3730UFB4-7
唯样编号 A-DMN3730UFB4-7B A36-DMN3730UFB4-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 460mΩ@200mA,4.5V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 470mW(Ta) 470mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 460mΩ@200mA,4.5V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 64.3 pF @ 25 V -
栅极电压Vgs ±8V ±8V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 1.6 nC @ 4.5 V -
封装/外壳 X2-DFN1006-3 X2-DFN
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 750mA(Ta) 0.91A
驱动电压 1.8V,4.5V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 950mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 64.3pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 1.6nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 1.8V,4.5V
库存与单价
库存 0 2,249
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
120+ :  ¥0.4446
200+ :  ¥0.286
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3730UFB4-7B Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 470mW(Ta) ±8V X2-DFN1006-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 750mA(Ta)

暂无价格 0 当前型号
DMN3730UFB4-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±8V 470mW(Ta) 460mΩ@200mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) X2-DFN N-Channel 30V 0.91A

¥0.4446 

阶梯数 价格
120: ¥0.4446
200: ¥0.286
2,249 对比
DMN3730UFB4-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±8V 470mW(Ta) 460mΩ@200mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) X2-DFN N-Channel 30V 0.91A

暂无价格 0 对比
DMN3730UFB4-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±8V 470mW(Ta) 460mΩ@200mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) X2-DFN N-Channel 30V 0.91A

暂无价格 0 对比

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