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DMN3300U-7  与  BSS316NH6327XTSA1  区别

型号 DMN3300U-7 BSS316NH6327XTSA1
唯样编号 A-DMN3300U-7 A36-BSS316NH6327XTSA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 150 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3 MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 150mΩ@4.5A,4.5V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 700mW(Ta) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 94pF @ 15V
栅极电压Vgs ±12V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 3.7uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.6nC @ 5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 193pF @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 160 毫欧 @ 1.4A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.5V,4.5V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 1.4A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 0 78
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3300U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

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1,000: ¥1.1691
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4,000: ¥1.0733
6,000 对比
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100: ¥1.6482
500: ¥1.2458
1,000: ¥1.1691
2,000: ¥1.1116
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BSS316NH6327XTSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSS316N H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 78 对比

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