DMN3300U-7 与 IRLML2803TRPBF 区别
| 型号 | DMN3300U-7 | IRLML2803TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-DMN3300U-7 | A-IRLML2803TRPBF |
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 30 V 150 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3 | Single N-Channel 30 V 540 W 3.3 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 150mΩ@4.5A,4.5V | 250mΩ@910mA,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 700mW(Ta) | 540mW(Ta) |
| 栅极电压Vgs | ±12V | ±20V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 10V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-23 | Micro3™/SOT-23 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 2A | 1.2A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 25V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 193pF @ 10V | 85pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.5V,4.5V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 85pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN3300U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 700mW(Ta) 150mΩ@4.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 2A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
BSH108,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 0.83W 150°C 1.5V,20V 30V 1.9A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRLML2803TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 540mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) 250mΩ@910mA,10V N-Channel 30V 1.2A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
BSS316N H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
30V 1.4A 119mΩ 20V 500mW(1/2W) N-Channel -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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