DMN3067LW-7 与 DMN3067LW-13 区别
| 型号 | DMN3067LW-7 | DMN3067LW-13 | ||||||
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| 唯样编号 | A-DMN3067LW-7 | A36-DMN3067LW-13 | ||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | 500mW | 500mW(Ta) | ||||||
| 上升时间 | 5.2ns | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||
| Qg-栅极电荷 | 4.6nC | - | ||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 67mΩ@2.5A,4.5V | ||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 447 pF @ 10 V | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±12V | ±12V | ||||||
| 典型关闭延迟时间 | 15ns | - | ||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 4.6 nC @ 4.5 V | ||||||
| 封装/外壳 | SOT-323 | SOT-323 | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | 2.6A | 2.6A(Ta) | ||||||
| 系列 | DMN3067 | - | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | - | ||||||
| 驱动电压 | - | 2.5V,4.5V | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 447pF @ 10V | - | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 4.6nC @ 4.5V | - | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V | - | ||||||
| 下降时间 | 6.1ns | - | ||||||
| 典型接通延迟时间 | 3.8ns | - | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | 67mΩ@2.5A,4.5V | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 671 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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DMN3067LW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C SOT-323 2.6A 500mW 67mΩ@2.5A,4.5V 30V ±12V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RTF025N03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
12V 800mW(Ta) 67mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TUMT N-Channel 30V 2.5A |
￥4.6319
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9,000 | 对比 | ||||||||||||||
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AO7400 | AOS | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SC70-3 N-Channel 30V ±12V 1.7A 0.35W 55mΩ@1.7A,10V -55°C~150°C |
￥0.8664
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6,017 | 对比 | ||||||||||||||
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RTF025N03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
12V 800mW(Ta) 67mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TUMT N-Channel 30V 2.5A |
￥2.6065
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5,918 | 对比 | ||||||||||||||
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RTF025N03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
12V 800mW(Ta) 67mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TUMT N-Channel 30V 2.5A |
￥1.728
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2,038 | 对比 | ||||||||||||||
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DMN3067LW-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 500mW(Ta) ±12V SOT-323 -55°C~150°C(TJ) 30V 2.6A(Ta) |
￥0.9636
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671 | 对比 |
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