首页 > 商品目录 > > > DMN3053L-7代替型号比较

DMN3053L-7  与  SI3434-TP  区别

型号 DMN3053L-7 SI3434-TP
唯样编号 A-DMN3053L-7 A-SI3434-TP
制造商 Diodes Incorporated MCC
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 42mΩ@5A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 760mW(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 45mΩ@4A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 676 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±12V ±10V
FET 类型 - N-Channel
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 17.2 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT-23-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
输入电容Ciss - 245pF @ 15V
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4A(Ta) 5A
驱动电压 2.5V,10V -
栅极电荷Qg - 10nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 245pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3053L-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 当前型号
DMN3053L-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 对比
DMN3053L-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 对比
SI3434-TP MCC 小信号MOSFET

SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售