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DMN3032LE-13  与  IRLL3303TRPBF  区别

型号 DMN3032LE-13 IRLL3303TRPBF
唯样编号 A-DMN3032LE-13 A-IRLL3303TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223 Single N-Channel 55 V 2.1 W 34 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOT-223-3
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 31mΩ@4.6A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.8W(Ta) 1W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 29mΩ@3.2A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 498 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±20V ±16V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 11.3 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT-223-3 SOT-223
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.6A(Ta) 6.5A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 840pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 50nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 840pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 50nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3032LE-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.8W(Ta) ±20V SOT-223-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 5.6A(Ta)

暂无价格 0 当前型号
STN4NF03L STMicro  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 12,000 对比
STN4NF03L STMicro  数据手册 功率MOSFET

SOT-223-4

¥1.617 

阶梯数 价格
40: ¥1.617
100: ¥1.298
1,000: ¥1.155
2,000: ¥1.0912
4,000: ¥1.034
4,286 对比
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暂无价格 0 对比
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±16V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 31mΩ@4.6A,10V N-Channel 30V 6.5A SOT-223

暂无价格 0 对比
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±16V 1W(Ta) 31mΩ@4.6A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 30V 6.5A SOT-223

暂无价格 0 对比

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