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DMN3016LFDE-13  与  DMN3016LFDE-7  区别

型号 DMN3016LFDE-13 DMN3016LFDE-7
唯样编号 A-DMN3016LFDE-13 A36-DMN3016LFDE-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 N-Channel 30 V 12 mO 25.1 nC SMT Enhancement Mode Mosfet - UDFN2020-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 12mΩ@11A,10V 12mΩ@11A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 730mW(Ta) 730mW(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 UDFN UDFN
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10A 10A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1415pF @ 15V 1415pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25.1nC @ 10V 25.1nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3016LFDE-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

UDFN

暂无价格 0 当前型号
DMN3016LFDE-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

UDFN

暂无价格 0 对比
DMN3016LFDE-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

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暂无价格 0 对比

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