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DMN3010LSS-13  与  FDS4470  区别

型号 DMN3010LSS-13 FDS4470
唯样编号 A-DMN3010LSS-13 A-FDS4470
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 40 V 9 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9mΩ@16A,10V 9mΩ@12.5A,10V
漏源极电压Vds 30V 40V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V +30V,-20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOP 8-SOIC
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 16A 12.5A
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2659pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 63nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2096pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 43.7nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3010LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) 9mΩ@16A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 16A

暂无价格 0 当前型号
IRF8714PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 8.7mΩ@14A,10V N-Channel 30V 14A 8-SO

暂无价格 0 对比
BSO083N03MSGXUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRF8714G Infineon  数据手册 功率MOSFET

30V SO-8 13mΩ N-Channel 20V 11A

暂无价格 0 对比
FDS8447 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

12.8A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 10.5m Ohms@12.8A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 40V 12.8A 8-SOIC

暂无价格 0 对比
FDS4470 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

12.5A(Ta) +30V,-20V 2.5W(Ta) 9mΩ@12.5A,10V -55°C~175°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 40V 12.5A 8-SOIC

暂无价格 0 对比

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