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DMN3010LK3-13  与  IRLR7821PBF  区别

型号 DMN3010LK3-13 IRLR7821PBF
唯样编号 A-DMN3010LK3-13 A-IRLR7821PBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 13.1A/43A TO252 Single N-Channel 30 V 75 W 10 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 10mΩ@15A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.6W(Ta) 75W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 9.5mΩ@18A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2075 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 37 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 D-Pak
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 13.1A(Ta),43A(Tc) 65A
驱动电压 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1030pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3010LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.6W(Ta) ±20V TO-252-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 13.1A(Ta),43A(Tc)

暂无价格 0 当前型号
STD40NF03LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

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NVD5117PLT4G-VF01 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO252 车规

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STD40NF3LLT4 STMicro 功率MOSFET

TO-252-3

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IRLR7821PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

10mΩ@15A,10V ±20V 75W(Tc) -55°C~175°C(TJ) N-Channel 30V 65A D-Pak

暂无价格 0 对比

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