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DMN3009SFG-7  与  TPN6R003NL,LQ  区别

型号 DMN3009SFG-7 TPN6R003NL,LQ
唯样编号 A-DMN3009SFG-7 A-TPN6R003NL,LQ
制造商 Diodes Incorporated Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333 MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V 30 V
Pd-功率耗散(Max) 900mW(Ta) 700mW(Ta),32W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs 5.5mΩ@20A,10V 6 毫欧 @ 13.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2000 pF @ 15 V 1400 pF @ 15 V
Vgs(th) - 2.3V @ 200uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 42 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
封装/外壳 PowerDI3333-8 8-TSON Advance(3.1x3.1)
工作温度 -55℃~150℃(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 16A(Ta),45A(Tc) 27A(Tc)
驱动电压 4.5V,10V -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3009SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

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