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DMN3008SFGQ-13  与  RQ3E180GNTB  区别

型号 DMN3008SFGQ-13 RQ3E180GNTB
唯样编号 A-DMN3008SFGQ-13 A36-RQ3E180GNTB
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.3mΩ@18A,10V
上升时间 - 6.9ns
漏源极电压Vds 30V 30V
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 900mW(Ta) 2W
Qg-栅极电荷 - 22.4nC
RdsOn(Max)@Id,Vgs 4.4mΩ@13.5A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3690 pF @ 10 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
典型关闭延迟时间 - 56.8ns
正向跨导 - 最小值 - 17S
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 86 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8 HSMT-8
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 17.6A(Ta),62A(Tc) 18A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
驱动电压 4.5V,10V -
下降时间 - 10.2ns
典型接通延迟时间 - 16.5ns
库存与单价
库存 0 2,991
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥2.486
100+ :  ¥1.991
750+ :  ¥1.782
1,500+ :  ¥1.683
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3008SFGQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 900mW(Ta) ±20V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 30V 17.6A(Ta),62A(Tc) 车规

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50: ¥1.133
100: ¥0.7546
1,250: ¥0.6292
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¥1.3333 

阶梯数 价格
1: ¥1.3333
100: ¥1.0612
1,000: ¥0.7647
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阶梯数 价格
30: ¥2.486
100: ¥1.991
750: ¥1.782
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阶梯数 价格
1: ¥3.8462
100: ¥3.0612
1,000: ¥2.2059
1,500: ¥1.8987
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¥5.1745 

阶梯数 价格
30: ¥5.1745
50: ¥3.4785
100: ¥2.9035
104 对比

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