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DMN3008SFG-7  与  BSZ0589NSATMA1  区别

型号 DMN3008SFG-7 BSZ0589NSATMA1
唯样编号 A-DMN3008SFG-7 A-BSZ0589NSATMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333 MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.1W(Ta)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 900mW(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 4.6mΩ@13.5A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3690 pF @ 10 V 950pF @ 15V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 86 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8 8-PowerTDFN
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 17.6A(Ta) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 10V
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 4.4 毫欧 @ 8A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 17A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 900mW(Ta) ±20V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 30V 17.6A(Ta)

暂无价格 0 当前型号
AON7516 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 30A 25W 4.5mΩ@10V

¥1.2969 

阶梯数 价格
40: ¥1.2969
100: ¥0.9999
1,250: ¥0.8316
2,500: ¥0.7554
5,000: ¥0.693
18,786 对比
AON7534 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 30A 23W 5mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥1.232 

阶梯数 价格
50: ¥1.232
100: ¥0.9493
1,250: ¥0.792
2,500: ¥0.7194
5,000: ¥0.66
9,637 对比
AON7538 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 30A 24W 5.1mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥2.5128 

阶梯数 价格
1: ¥2.5128
100: ¥2
1,000: ¥1.4412
2,500: ¥1.2405
5,000: ¥0.98
4,969 对比
AON7522E AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 31W 4mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥3.0924 

阶梯数 价格
1,020: ¥3.0924
2,500: ¥2.4184
5,000: ¥1.8864
0 对比
AON7422E AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 40A 36W 4.3mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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