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DMN2075U-7  与  IRLML2502TRPBF  区别

型号 DMN2075U-7 IRLML2502TRPBF
唯样编号 A-DMN2075U-7 A-IRLML2502TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 20 V 45 mOhm 7 nC 0.8 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 25mΩ 45mΩ@4.2A,4.5V
上升时间 9.8ns -
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 800mW 1.25W(Ta)
栅极电压Vgs 8V ±12V
典型关闭延迟时间 28.1ns -
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.2A 4.2A(Ta)
系列 DMN2075 HEXFET®
通道数量 1Channel -
配置 Single -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 594.3pF @ 10V 740pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 7nC @ 4.5V 12nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 2.5V,4.5V
下降时间 6.7ns -
典型接通延迟时间 7.4ns -
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN2075U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 4.2A 800mW 25mΩ 20V 8V

暂无价格 0 当前型号
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±10V 1W(Ta) 35mΩ@4A,4.5V 150°C(TJ) SC-96 N-Channel 20V 4A(Ta)

¥0.88 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.88
15,000 对比
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±10V 1W(Ta) 35mΩ@4A,4.5V 150°C(TJ) SC-96 N-Channel 20V 4A(Ta)

¥2.8173 

阶梯数 价格
60: ¥2.8173
100: ¥2.2423
300: ¥1.8686
500: ¥1.792
1,000: ¥1.7345
3,705 对比
IRLML2502TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 20V 4.2A(Ta) ±12V 1.25W(Ta) 45mΩ@4.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 3,000 对比
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±10V 1W(Ta) 35mΩ@4A,4.5V 150°C(TJ) SC-96 N-Channel 20V 4A(Ta)

暂无价格 100 对比
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±10V 1W(Ta) 35mΩ@4A,4.5V 150°C(TJ) SC-96 N-Channel 20V 4A(Ta)

¥4.0841 

阶梯数 价格
1: ¥4.0841
100: ¥2.1809
3,000: ¥1.5768
30 对比

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