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DMN2040LTS-13  与  AO8830  区别

型号 DMN2040LTS-13 AO8830
唯样编号 A-DMN2040LTS-13 A-AO8830
制造商 Diodes Incorporated AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-TSSOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
正向跨导-最小值 8 S -
Rds On(Max)@Id,Vgs 26mΩ@6A,4.5V 27mΩ@6A,10V
上升时间 13.5 ns, 13.5 ns -
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 890mW 1.5W
Qg-栅极电荷 5.2 nC, 5.2 nC -
栅极电压Vgs 500mV,500mV -
典型关闭延迟时间 19.8 ns, 19.8 ns -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TSSOP 8-TSSOP
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6.7A -
系列 DMN -
通道数量 2 Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 570pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.2nC @ 4.5V -
下降时间 6.1 ns, 6.1 ns -
典型接通延迟时间 5.2 ns, 5.2 ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 290pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.2nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN2040LTS-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

500mV,500mV 26mΩ@6A,4.5V 890mW -55°C~150°C(TJ) TSSOP N-Channel 20V 6.7A

暂无价格 0 当前型号
AO8830 AOS  数据手册 功率MOSFET

20V 27mΩ@6A,10V 1.5W -55°C~150°C(TJ) 8-TSSOP

暂无价格 0 对比

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