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DMN2005UFGQ-13  与  DMN2005UFGQ-7  区别

型号 DMN2005UFGQ-13 DMN2005UFGQ-7
唯样编号 A-DMN2005UFGQ-13 A-DMN2005UFGQ-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333 MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
漏源极电压Vds 20V 20V
产品特性 车规 车规
Pd-功率耗散(Max) 1.05W(Ta) 1.05W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 4.6mΩ@13.5A,4.5V 4.6mΩ@13.5A,4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 6495 pF @ 10 V 6495 pF @ 10 V
栅极电压Vgs ±12V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 164 nC @ 10 V 164 nC @ 10 V
封装/外壳 PowerDI3333-8 PowerDI3333-8
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 18A(Ta),50A(Tc) 18A(Ta),50A(Tc)
驱动电压 2.5V,4.5V 2.5V,4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN2005UFGQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.05W(Ta) ±12V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 20V 18A(Ta),50A(Tc) 车规

暂无价格 0 当前型号
DMN2005UFGQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.05W(Ta) ±12V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 20V 18A(Ta),50A(Tc) 车规

暂无价格 0 对比

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