首页 > 商品目录 > > > DMN2005UFG-13代替型号比较

DMN2005UFG-13  与  DMN2005UFG-7  区别

型号 DMN2005UFG-13 DMN2005UFG-7
唯样编号 A-DMN2005UFG-13 A36-DMN2005UFG-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333 MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerDI3333-8 PowerDI3333-8
功率耗散Pd - 1.05W(Ta)
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 18.1A(Tc)
驱动电压 - 2.5V,4.5V
漏源极电压Vds - 20V
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 4.6mΩ@13.5A,4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 6495 pF @ 10 V
栅极电压Vgs - ±12V
FET类型 - N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 164 nC @ 10 V
库存与单价
库存 0 1
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN2005UFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 当前型号
DMN2005UFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.05W(Ta) ±12V PowerDI3333-8 -55°C~150°C(TJ) 20V 18.1A(Tc)

暂无价格 1 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>
在
线
销
售

在线销售