DMN10H220LE-13 与 IRFL4310TRPBF 区别
| 型号 | DMN10H220LE-13 | IRFL4310TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-DMN10H220LE-13 | A-IRFL4310TRPBF |
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 220mΩ@1.6A,10V | 200mΩ@1.6A,10V |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.8W(Ta) | 1W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-223 | SOT-223 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 2.3A | 2.2A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 401pF @ 25V | 330pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.3nC @ 10V | 25nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 330pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 25nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN10H220LE-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.8W(Ta) 220mΩ@1.6A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 100V 2.3A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IRLML0100TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23 N-Channel 220mΩ@1.6A,10V 1.3W -55°C~150°C ±16V 100V 1.6A |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
|
IRFL4310TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 200mΩ@1.6A,10V N-Channel 100V 2.2A SOT-223 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
IRFL4310PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 200mΩ@1.6A,10V N-Channel 100V 2.2A SOT-223 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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BSP373N H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
100V 1.8A 177mΩ 20V 1.8W N-Channel -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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