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DMG8880LK3-13  与  AOD418  区别

型号 DMG8880LK3-13 AOD418
唯样编号 A-DMG8880LK3-13 A-AOD418
制造商 Diodes Incorporated AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 11A TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 7.5mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.68W(Ta) 50W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 7.5mΩ@11.6A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1289 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 27.6 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252,(D-Pak) TO-252
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 11A(Ta) 36A
驱动电压 4.5V,10V -
库存与单价
库存 0 2,496
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥3.0612
100+ :  ¥2.2059
1,000+ :  ¥1.8987
2,500+ :  ¥1.5
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG8880LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.68W(Ta) ±20V TO-252,(D-Pak) -55℃~150℃(TJ) 30V 11A(Ta)

暂无价格 0 当前型号
AOD418 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 30V ±20V 36A 50W 7.5mΩ@20A,10V -55°C~175°C

¥3.0612 

阶梯数 价格
1: ¥3.0612
100: ¥2.2059
1,000: ¥1.8987
2,500: ¥1.5
2,496 对比
IRLR8726TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 75W(Tc) 5.8mΩ@25A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK N-Channel 30V 86A

暂无价格 2,000 对比
AOD200 AOS 功率MOSFET

14A(Ta),36A(Tc) N-Channel ±20V 7.8 mΩ @ 20A,10V TO-252,(D-Pak) 2.5W(Ta),50W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
IRLR8726PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 75W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.8mΩ@25A,10V N-Channel 30V 86A D-Pak

暂无价格 0 对比
IRLR8729PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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