首页 > 商品目录 > > > > DMG7702SFG-7代替型号比较

DMG7702SFG-7  与  RQ3E120GNTB  区别

型号 DMG7702SFG-7 RQ3E120GNTB
唯样编号 A-DMG7702SFG-7 A-RQ3E120GNTB
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 8.8mΩ@12A,10V
上升时间 - 4.5ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 890mW(Ta) 2W
Qg-栅极电荷 - 10nC
RdsOn(Max)@Id,Vgs 10mΩ@13.5A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4310 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
典型关闭延迟时间 - 25.5ns
正向跨导 - 最小值 - 10S
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 31.6 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8 HSMT-8
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 12A(Ta) 12A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
驱动电压 4.5V,10V -
下降时间 - 3.4ns
典型接通延迟时间 - 9.6ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
3,000+ :  ¥0.9296
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG7702SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 890mW(Ta) ±20V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 30V 12A(Ta)

暂无价格 0 当前型号
NTTFS4C13NTWG ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-WDFN(3.3x3.3)

暂无价格 0 对比
NVTFS4823NWFTWG ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-WDFN(3.3x3.3) 车规

暂无价格 0 对比
TPN11003NL,LQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 700mW(Ta),19W(Tc) 8-TSON Advance(3.1x3.1) 150°C(TJ) 30 V 11A(Tc)

暂无价格 0 对比
AON7416_101 AOS 功率MOSFET

14A(Ta),40A(Tc) N-Channel ±12V 8.5 mΩ @ 20A,10V 8-DFN-EP(3x3) 3.1W(Ta),25W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
RQ3E120GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

12A 2W 8.8mΩ@12A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥0.9296 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.9296
0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售