DMG7430LFG-7 与 RQ3E120GNTB 区别
| 型号 | DMG7430LFG-7 | RQ3E120GNTB | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-DMG7430LFG-7 | A36-RQ3E120GNTB | ||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ROHM Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 2.2W | 2W | ||||
| 上升时间 | 21.2ns | 4.5ns | ||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||
| Qg-栅极电荷 | 26.7nC | 10nC | ||||
| 栅极电压Vgs | 2.5V | ±20V | ||||
| 典型关闭延迟时间 | 22.3ns | 25.5ns | ||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 10S | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | PowerDI | HSMT-8 | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||
| 连续漏极电流Id | 10.5A | 12A | ||||
| 系列 | DMG7430 | - | ||||
| 通道数量 | 1Channel | 1Channel | ||||
| 配置 | SingleTripleSourceQuadDrain | Single | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1281pF @ 15V | - | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 26.7nC @ 10V | - | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||
| 下降时间 | 5.1ns | 3.4ns | ||||
| 典型接通延迟时间 | 5.2ns | 9.6ns | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 11mΩ | 8.8mΩ@12A,10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 705 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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RQ3E120GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12A 2W 8.8mΩ@12A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥3.4918
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8,980 | 对比 | ||||||||||||
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AON7506 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 12A 20.5W 9.8mΩ@12A,10V -55°C~150°C |
￥1.14
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4,590 | 对比 | ||||||||||||
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DMG7430LFGQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 900mW(Ta) ±20V PowerDI3333-8 -55°C~150°C(TJ) 30V 10.5A(Ta) 车规 |
￥0.8952
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1,839 | 对比 | ||||||||||||
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RQ3E120GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12A 2W 8.8mΩ@12A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥3.0377
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793 | 对比 | ||||||||||||
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RQ3E120GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12A 2W 8.8mΩ@12A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥2.604
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705 | 对比 |
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