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DMG7430LFG-7  与  AON7506  区别

型号 DMG7430LFG-7 AON7506
唯样编号 A-DMG7430LFG-7 A36-AON7506
制造商 Diodes Incorporated AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 11mΩ 9.8mΩ@12A,10V
上升时间 21.2ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.2W 20.5W
Qg-栅极电荷 26.7nC -
栅极电压Vgs 2.5V ±20V
典型关闭延迟时间 22.3ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 PowerDI DFN 3x3 EP
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 10.5A 12A
系列 DMG7430 -
通道数量 1Channel -
配置 SingleTripleSourceQuadDrain -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1281pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26.7nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 5.1ns -
典型接通延迟时间 5.2ns -
库存与单价
库存 0 2,181
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥1.309
100+ :  ¥0.8701
1,250+ :  ¥0.7249
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel

暂无价格 0 当前型号
AON7506 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 12A 20.5W 9.8mΩ@12A,10V -55°C~150°C

¥1.309 

阶梯数 价格
40: ¥1.309
100: ¥0.8701
1,250: ¥0.7249
2,181 对比
DMG7430LFGQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 900mW(Ta) ±20V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 30V 10.5A(Ta) 车规

¥2.068 

阶梯数 价格
30: ¥2.068
100: ¥1.584
1,000: ¥1.32
1,960 对比
RQ3E120GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

12A 2W 8.8mΩ@12A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥1.9261 

阶梯数 价格
80: ¥1.9261
100: ¥1.5428
500: ¥1.4757
1,000: ¥1.4182
1,570 对比
NTTFS4C13NTWG ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-WDFN(3.3x3.3)

暂无价格 0 对比
AON7506 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 12A 20.5W 9.8mΩ@12A,10V -55°C~150°C

¥1.7887 

阶梯数 价格
1,020: ¥1.7887
2,500: ¥1.3989
5,000: ¥1.0911
0 对比

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